Datasheet STB34NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB34NM60ND
Купить STB34NM60ND на РадиоЛоцман.Цены — от 94 до 1 341 ₽ 23 предложений от 13 поставщиков N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) | |||
STB34NM60ND STMicroelectronics | 94 ₽ | ||
STB34NM60ND STMicroelectronics | 192 ₽ | ||
STB34NM60ND STMicroelectronics | от 405 ₽ | ||
STB34NM60ND STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB34NM60ND, STF34NM60ND STP34NM60ND, STW34NM60ND
N-channel 600 V, 0.097 29 A FDmeshTM II Power MOSFET , (with fast diode) D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
Preliminary data
Features
TAB
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 29 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.097 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 190 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)