Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB35N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 27 А, D2PAK

STMicroelectronics STB35N65M5

Наименование модели: STB35N65M5

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 27 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5 STP35N65M5, STW35N65M5
N-channel 650 V, 0.085 27 A, MDmeshTM V Power MOSFET , in DІPAK, TO-220FP, IІPAK, TO-220, TO-247
Features
Type STB35N65M5 STF35N65M5 STI35N65M5 STP35N65M5 STW35N65M5 VDSS @ TJMAX 710 V 710 V 710 V 710 V 710 V RDS(on) max. < 0.098 < 0.098 < 0.098 < 0.098 < 0.098 ID
1 3

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 27 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 0.085 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 160 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB35N65M5 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 650 V, 27 A, D2PAK

    MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
    Цены на STB35N65M5
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics170 руб.
    КонтестSTMicroelectronics204 руб.
    ТаймЧипсSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс