Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet STB9NK50ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 7.2 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB9NK50ZT4

Наименование модели: STB9NK50ZT4

44 предложений от 19 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 7.2 А, 0.72 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
FS5VS-10A (ST-STB9NK50ZT4)
STMicroelectronics
13 ₽
Элитан
Россия
STB9NK50ZT4
STMicroelectronics
29 ₽
ChipWorker
Весь мир
STB9NK50ZT4
STMicroelectronics
110 ₽
ЭИК
Россия
STB9NK50ZT4
STMicroelectronics
от 148 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 7.2 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP9NK50Z - STP9NK50ZFP STB9NK50Z - STB9NK50Z-1
N-CHANNEL 500V - 0.72 - 7.2A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
TYPE STP9NK50Z STP9NK50ZFP STB9NK50Z STB9NK50Z-1
s s s s s s
VDSS 500 500 500 500 V V V V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 7.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On Resistance Rds(on): 0.72 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 110 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB9NK50ZT4 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 500 V, 7.2 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России