Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet STI26NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20 А, I2PAK — Даташит

STMicroelectronics STI26NM60N

Наименование модели: STI26NM60N

19 предложений от 10 поставщиков
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
AiPCBA
Весь мир
STI26NM60N
STMicroelectronics
238 ₽
ChipWorker
Весь мир
STI26NM60N
STMicroelectronics
243 ₽
ЭИК
Россия
STI26NM60N
STMicroelectronics
от 612 ₽
Akcel
Весь мир
STI26NM60N
STMicroelectronics
от 1 354 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20 А, I2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB26NM60N, STF26NM60N, STI26NM60N STP26NM60N, STW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmeshTM II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages
Datasheet -- production data
Features
Type STB26NM60N STF26NM60N STI26NM60N STP26NM60N STW26NM60N

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.135 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-262
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 140 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STI26NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 20 A, I2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России