Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STP11NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 9 А, TO 220

STMicroelectronics STP11NM50N

Наименование модели: STP11NM50N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 9 А, TO 220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD11NM50N STF11NM50N, STP11NM50N
N-channel 500 V, 0.4 8.5 A MDmeshTM II Power MOSFET , in DPAK, TO-220FP and TO-220
Features
Order codes STD11NM50N STF11NM50N STP11NM50N
VDSS @TJmax

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 8.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On Resistance Rds(on): 0.4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 70 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STP11NM50N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 500 V, 9 A, TO 220

    MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
    Цены на STP11NM50N
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ДессиSTMicroelectronicsКатегория < Транзисторы полевые , IGBT и модули >: STP11NM50N112 руб.
    ЭлитанSTMicroelectronicsSTP11NM50N123 руб.
    КремнийSTP11NM50Nпо запросу
    Океан ЭлектроникиSTMicroelectronicsSTP11NM50Nпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс