Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSC100N06LS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 50 А, 8TDSON

Infineon BSC100N06LS3 G

Наименование модели: BSC100N06LS3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 50 А, 8TDSON

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Jf]R
% ! %
"%&$!"# # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY R #562 =@C 7 9:89 76BF6? 4J D 49:? 8 2 ? 5 D 4
C C H:E J? 64

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 50 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0078 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SuperSOT
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 50 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSC100N06LS3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 60 V, 50 A, 8TDSON

    OptiMOS3 Power-Transistor
    Цены на BSC100N06LS3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonBSC100N06LS3G19,90 руб.
    КремнийBSC100N06LS3 Gпо запросу
    ДКО ЭлектронщикInfineonBSC100N06LS3Gпо запросу
    ЭлектроПластInfineonBSC100N06LS3Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс