Datasheet BSS192P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 250 В, 190 мА, SOT-89 — Даташит

Infineon BSS192P L6327

Наименование модели: BSS192P L6327

Купить BSS192P L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 62 до 66 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
ЧипСити Россия	BSS192PL6327 Infineon	62 ₽
AiPCBA Весь мир	BSS192PL6327 Infineon	66 ₽
ChipWorker Весь мир	BSS192PL6327 Infineon	66 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	BSS192PL6327HTSA1 Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 250 В, 190 мА, SOT-89

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSS192P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID -250 12 -0.19
PG-SOT89
Drain pin 2 Gate pin1 Source pin 3

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -190 мА
Drain Source Voltage Vds: -250 В
On Resistance Rds(on): 7.7 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: SOT-89
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 1 Вт
RoHS: да