Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSZ110N06NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON

Infineon BSZ110N06NS3 G

Наименование модели: BSZ110N06NS3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IeQ
$ )
$
"%&$!"# " : A 0< < 4 > < % ,9= = :
6LHZ[XLY Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 C

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.009 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 50 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSZ110N06NS3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 60 V, 20 A, 8TSDSON

    MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
    Цены на BSZ110N06NS3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonBSZ110N06NS3G24,70 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonBSZ110N06NS3Gпо запросу
    TradeElectronicsInfineonBSZ110N06NS3 Gпо запросу
    КремнийBSZ110N06NS3 Gпо запросу
    МосЧипInfineonBSZ110N06NS3Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс