Datasheet BSZ160N10NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 40 А, 8TSDSON — Даташит
Наименование модели: BSZ160N10NS3 G
Купить BSZ160N10NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 69 до 7 453 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.016Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | |||
| BSZ160N10NS3G Infineon | от 69 ₽ | ||
| BSZ160N10NS3G ATMA1, Транзистор N-CH 100V 40A [TSDSON-8] Infineon | 123 ₽ | ||
| BSZ160N10NS3G Infineon | 126 ₽ | ||
| BSZ160N10NS3G Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 40 А, 8TSDSON
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
% * ! ! %
"&'%!"#
7MI[YMZ
$!
# ;B 1 = = > > ;= & -: 5 ?
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 40 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.014 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.8 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 63 Вт
- RoHS: да
