Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BSZ160N10NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 40 А, 8TSDSON

Infineon BSZ160N10NS3 G

Наименование модели: BSZ160N10NS3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 40 А, 8TSDSON

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% * ! ! %
"&'%!"#
7MI[YMZ
$!
# ;B 1 = = > > ;= & -: 5 ?

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.014 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.8 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 63 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSZ160N10NS3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 100 V, 40 A, 8TSDSON

    BSZ160N10NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 47,20 до 165,00 руб.
    MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
    Цены на BSZ160N10NS3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonBSZ160N10NS3G47,20 руб.
    ТерраэлектроникаInfineonBSZ160N10NS3 Gот 76,50 руб.
    КремнийBSZ160N10NS3 Gпо запросу
    ТаймЧипсInfineonBSZ160N10NS3 Gпо запросу
    LifeElectronicsInfineonBSZ160N10NS3Gпо запросу
    Все 8 предложений от 6 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс