Datasheet IPD110N12N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 75 А, TO252-3 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 75 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPD110N12N3 G IPS110N12N3 G
"%&$!"#TM3Power-Transistor
Features R ( 492 ??6= ?@ C == 6= >2 6G R I46=6?E E 492 C IR ;I"[# AC 5F4E ) ' = 82 6 86 @ ! R/ 6C = H @ ?C :D 2 ?46 R ;I"[# J@ 6D E R U @ A6C E E 2 :?8 6>A6C E 6 2 FC R * 3 766 = 5 A= E , @ # - 4@ >A= ?E 92 = 86? 766 C 62 2 :?8 :2 @ C R + F2 = :65 2 44@ C :7 5:?8 E % @
)#
Product Summary V ;I R ;I"[#$>2 I I; )*( )) /K Z" 7

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 75 А
• Drain Source Voltage Vds: 120 В
• On Resistance Rds(on): 0.0092 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 136 Вт
• RoHS: да