Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet IPD110N12N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 75 А, TO252-3

Infineon IPD110N12N3 G

Наименование модели: IPD110N12N3 G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 75 А, TO252-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPD110N12N3 G IPS110N12N3 G
"%&$!"#TM3Power-Transistor
Features R ( 492 ??6= ?@ C == 6= >2 6G R I46=6?E E 492 C IR ;I"[# AC 5F4E ) ' = 82 6 86 @ ! R/ 6C = H @ ?C :D 2 ?46 R ;I"[# J@ 6D E R U @ A6C E E 2 :?8 6>A6C E 6 2 FC R * 3 766 = 5 A= E , @ # - 4@ >A= ?E 92 = 86? 766 C 62 2 :?8 :2 @ C R + F2 = :65 2 44@ C :7 5:?8 E % @
)#
Product Summary V ;I R ;I"[#$>2 I I; )*( )) /K Z" 7

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 75 А
  • Drain Source Voltage Vds: 120 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0092 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 136 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPD110N12N3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 120 V, 75 A, TO252-3

    MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
    Цены на IPD110N12N3 G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonIPD110N12N3G77,20 руб.
    КремнийIPD110N12N3 G TRпо запросу
    ДКО ЭлектронщикInfineonIPD110N12N3Gпо запросу
    ТаймЧипсInfineonIPD110N12N3Gпо запросу
    Океан ЭлектроникиInfineonIPD110N12N3 Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс