Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet IPD60R1K4C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 3.2 А, TO252-3

Infineon IPD60R1K4C6

Наименование модели: IPD60R1K4C6

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 3.2 А, TO252-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GHL@?M
+ !FFC+ , 0 !
3 !FFC+ , 0 X ! - FN" 8K 0 ?<

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 3.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 1.26 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 28.4 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPD60R1K4C6 - Infineon MOSFET, N-CH, 600 V, 3.2 A, TO252-3

    MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
    Цены на IPD60R1K4C6
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonIPD60R1K4C632,90 руб.
    КремнийIPD60R1K4C6 TRпо запросу
    ДКО ЭлектронщикInfineonIPD60R1K4C6по запросу
    МосЧипInfineonIPD60R1K4C6по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс