Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SPB18P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.7 А, TO-263

Infineon SPB18P06P G

Наименование модели: SPB18P06P G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.7 А, TO-263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB18P06P G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.13 -18.6 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · 175°C operating temperature

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -18.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: -60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.101 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 81.1 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SPB18P06P G - Infineon MOSFET, P-CH, 60 V, 18.7 A, TO-263

    MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
    Цены на SPB18P06P G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonSPB18P06PG39,80 руб.
    КремнийSPB18P06P Gпо запросу
    ДКО ЭлектронщикInfineonSPB18P06PGпо запросу
    МосЧипInfineonSPB18P06P Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс