Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SPD04P10PL G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3

Infineon SPD04P10PL G

Наименование модели: SPD04P10PL G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD04P10PL G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 850 -4.2 V m A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Logic level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -4.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.55 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 38 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SPD04P10PL G - Infineon MOSFET, P-CH, 100 V, 4.2 A, TO252-3

    SIPMOS?® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
    Цены на SPD04P10PL G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonSPD04P10PLG21,40 руб.
    КремнийSPD04P10PL Gпо запросу
    ДКО ЭлектронщикInfineonSPD04P10PLGпо запросу
    МосЧипInfineonSPD04P10PLGпо запросу
    TradeElectronicsInfineonSPD04P10PL Gпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс