Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK763R9-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK

NXP BUK763R9-60E

Наименование модели: BUK763R9-60E

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK763R9-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 2940µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 263 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

    MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPBUK763R9-60E/GF11885,60 руб.
    МосЧипNXPBUK763R9-60E,118по запросу
    ЭФОBUK763R9-60E,118по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
DIY настольный 3D принтер
Цена: 163 $ (9500 руб.)
Промо-акция, последняя скидка
Очки с подсветкой и сменными окулярами
Цена: от 8 $ (477 руб.)
Бесплатная доставка: Весь мир
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс