Datasheet BUK763R9-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK763R9-60E
Купить BUK763R9-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 100 до 268 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков 100A, 60V, 0.0039ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2 | |||
BUK763R9-60E.118 Nexperia | 100 ₽ | ||
BUK763R9-60E,118 NXP | 201 ₽ | ||
BUK763R9-60E/GFJ NXP | по запросу | ||
BUK763R9-60E,118 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK763R9-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 2940µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 263 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK763R960E, BUK763R9 60E