Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK769R6-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 75 А, D2PAK

NXP BUK769R6-80E

Наименование модели: BUK769R6-80E

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 75 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK769R6-80E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 75 А
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On Resistance Rds(on): 7200µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 182 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet BUK769R6-80E - NXP MOSFET, N-CH, 80 V, 75 A, D2PAK

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс