Datasheet BUK954R8-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, TO-220AB — Даташит
Наименование модели: BUK954R8-60E
Купить BUK954R8-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 96 до 518 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | |||
| BUK954R8-60E.127 Nexperia | 96 ₽ | ||
| BUK954R8-60E NXP | 159 ₽ | ||
| BUK954R8-60E,127 Nexperia | от 518 ₽ | ||
| BUK954R8-60E Nexperia | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, TO-220AB
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK954R8-60E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.004 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 234 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK954R860E, BUK954R8 60E
