Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK956R1-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, TO-220AB

NXP BUK956R1-100E

Наименование модели: BUK956R1-100E

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, TO-220AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK956R1-100E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 4850µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 349 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

    MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPBUK956R1-100E122 руб.
    Океан ЭлектроникиNXPBUK956R1-100E,127по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
DIY настольный 3D принтер
Цена: 163 $ (9500 руб.)
Промо-акция, последняя скидка
Лазерный дальномер 40 м
Цена: 16 $ (972 руб.)
Бесплатная доставка: Весь мир
Промо-акция
Очки с подсветкой и сменными окулярами
Цена: от 8 $ (477 руб.)
Бесплатная доставка: Весь мир
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

SELECT 1, idshop, id FROM tov2__complocman_keyq12 WHERE keywords='BUK956R1100E' LIMIT 0,300