Datasheet BUK961R5-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK961R5-30E
Купить BUK961R5-30E на РадиоЛоцман.Цены — от 178 до 9 397 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков BUK961R5-30E/D2PAK/REEL13// | |||
BUK961R5-30E,118 NXP | 178 ₽ | ||
BUK961R5-30E,118 NXP | 190 ₽ | ||
BUK961R5-30E,118 NXP | 249 ₽ | ||
BUK961R5-30E,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK961R5-30E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1300µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 324 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK961R530E, BUK961R5 30E