Datasheet BUK962R1-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK962R1-40E на РадиоЛоцман.Цены — от 97 до 214 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
ЧипСити Россия	BUK962R1-40E,118 NXP	97 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BUK962R1-40E,118 NXP	103 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK962R1-40E,118 NXP	103 ₽	Купить
Flash-Turtle Весь мир	BUK962R1-40E,118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK962R1-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 1700µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 293 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK962R140E, BUK962R1 40E