Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN013-100YSE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 58 А, LFPAK56

NXP PSMN013-100YSE

Наименование модели: PSMN013-100YSE

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 58 А, LFPAK56

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN013-100YSE
18 December 2012
N-channel 100 V 13 m standard level MOSFET in LFPAK56
Product data sheet
1. General description

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 58 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.011 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 238 Вт
  • RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet PSMN013-100YSE - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 58 A, LFPAK56

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNXP136 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс