Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN1R5-30BLE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK

NXP PSMN1R5-30BLE

Наименование модели: PSMN1R5-30BLE

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN1R5-30BLE
12 October 2012
N-channel 30 V 1.5 m logic level MOSFET in D2PAK
Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0013 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 401 Вт
  • RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet PSMN1R5-30BLE - NXP MOSFET, N-CH, 30 V, 120 A, D2PAK

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNXP160 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс