Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet 1MBI1200U4C-170 - Fuji Electric Даташит IGBT, MODULE, одиночный, 1200A/1700V — Даташит

Fuji Electric 1MBI1200U4C-170

Наименование модели: 1MBI1200U4C-170

5 предложений от 5 поставщиков
IGBT MODULE
ChipWorker
Весь мир
1MBI1200U4C-170
Fuji
76 983 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
1MBI1200U4C-170
по запросу
TradeElectronics
Россия
1MBI1200U4C-170
Fuji Electric
по запросу
FAV Technology
Весь мир
1SD536F2-1MBI1200U4C-170
Power Integrations
по запросу
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, MODULE, одиночный, 1200A/1700V

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.43 В
  • DC Collector Current: 1.6 кА
  • Количество выводов: 7
  • Корпус транзистора: Module
  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -
  • Рассеиваемая мощность: 7.35 кВт
  • RoHS: нет

Варианты написания:

1MBI1200U4C170, 1MBI1200U4C 170

На английском языке: Datasheet 1MBI1200U4C-170 - Fuji Electric IGBT, MODULE, SINGLE, 1200A/1700V

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России