Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
Срез:Электронные компоненты

Datasheet International Rectifier IRFB7730PbF

Производитель:International Rectifier

Семейство StrongIRFET 75-вольтовых мощных MOSFET с ультра низким сопротивлением открытого канала


    StrongIRFET 75V 246A 2.6mOhm 271nC
    ТерраэлектроникаInfineonот 153 руб.
    КимInternational Rectifier372 руб.
    ЭлитанInternational Rectifier476 руб.
    Подробнее об условиях поставки »

Выписка из документа:
Application Brushed motor drive applications BLDC motor drive applications Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies OR-ing and redundant power switches DC/DC and AC/DC converters DC/AC inverters HEXFET® Power MOSFET D VDSS RDS(on) typ. max 75V 2.2m 2.6m 246A 195A G S ID (Silicon Limited) ID (Package Limited)
D D Benefits Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche SOA Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability Lead-free, RoHS compliant S D G TO-220AB IRFB7730PbF S G D2Pak IRFS7730PbF G S D TO-262 IRFSL7730PbF G Gate D Drain S Source Base part number IRFB7730PbF IRFSL7730PbF IRFS7730PbF Package Type TO-220 TO-262 D2-Pak Standard Pack Form Quantity Tube 50 Tube 50 Tube 50 Tape and Reel Left 800 Orderable Part Number IRFB7730PbF IRFSL7730PbF IRFS7730PbF IRFS7730TRLPbF RDS(on), Drain-to -Source On Resistance (m ) 8 ID = 100A 6 T J = 125°C 4
ID, Drain Current (A) 250 Limited by package 200 150 100 2 T J = 25°C 0 4 6 8 10 12 14 16 18 20 50 0 25 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature (°C) VGS, Gate -to -Source Voltage (V) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage 1 www.irf.com © 2014 International Rectifier Fig 2. Maximum Drain Current vs. C...

На английском языке: Datasheet International Rectifier IRFB7730PbF

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс