| Срез: | Электронные компоненты |
Datasheet International Rectifier IRFS7762PbF
| Производитель: | International Rectifier |
| Серия: | IRFS/SL7762PbF |
| Модель: | IRFS7762PbF |
Семейство StrongIRFET 75-вольтовых мощных MOSFET с ультра низким сопротивлением открытого канала
Datasheets
- Скачать » Datasheet, PDF, 625 Кб
Цены
IRFS7762PbF на РадиоЛоцман.Цены — от 37,64 до 100 руб.
100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Characterized Capacitance a&hellip,
| Поставщик | Производитель | Наименование | Цена |
|---|---|---|---|
| ICdarom | Infineon | IRFS7762PBF | от 38 руб. |
| ДКО Электронщик | Infineon | IRFS7762PBF | от 67 руб. |
| Терраэлектроника | Infineon | IRFS7762PBF | от 67 руб. |
| Интерия | Infineon | IRFS7762PBF | 69 руб. |
| Десси | International Rectifier | MOSFET транзистор IRFS7762PBF | 94 руб. |
| Все 13 предложений от 7 поставщиков » | |||
Выписка из документа:
StrongIRFETTM IRFS7762PbF IRFSL7762PbFApplication Brushed motor drive applications BLDC motor drive applications Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies OR-ing and redundant power switches DC/DC and AC/DC converters DC/AC inverters HEXFET® Power MOSFET D VDSS RDS(on) typ. 75V 5.6m 6.7m 85A G S max ID D D Benefits Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche SOA Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability Lead-free, RoHS compliant G Gate S G D2Pak IRFS7762PbF G S D TO-262 IRFSL7762PbF D Drain S Source Base part number IRFSL7762PbF IRFS7762PbF Package Type TO-262 D2-Pak Standard Pack Form Quantity Tube Tube Tape and Reel Left 50 50 800 Orderable Part Number IRFSL7762PbF IRFS7762PbF IRFS7762TRLPbF RDS(on), Drain-to -Source On Resistance (m ) 18 ID = 51A 16 100 80
ID, Drain Current (A) 14 12 10 8 6 4 4 6 8 10 12 14 16 18 20 T J = 25°C T J = 125°C 60 40 20 0 25 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature (°C) VGS, Gate -to -Source Voltage (V) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 1 www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback August 20, 2014 Absolute Maximum Rating IRFS/SL7762PbF
Units A W W/°C V °C Parameter Max. Continuous Drain Current, VGS @ 10V 85 Continuous Drain Current, VGS @ 10V 60 Pulsed Drain Current 335 Maximum Power Dissipation 140 Linear Derating Factor 0.95 VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 TJ Operating Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Avalanche Characteristics Symbol Max. Parameter EAS (Th...
- Серия: IRFS/SL7762PbF (3)
- IRFS7762PbF IRFS7762TRLPbF IRFSL7762PbF
На английском языке: Datasheet International Rectifier IRFS7762PbF
Рекомендуемые материалы по теме:
- Datasheet International Rectifier IRFS7762TRLPbF
- Datasheet International Rectifier IRFSL7762PbF
- Datasheet IRFS7440PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2-PAK
- Datasheet IRFS7437PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 195 А, D2-PAK
- Datasheet IRFS5620PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH 200 В, 24 А, D2-PAK
При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.
| Срезы ↓ |
| ||
| ||
|
|