Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet International Rectifier IRFR7740PbF

Производитель:International Rectifier
Серия:IRFR/U7740PbF
Модель:IRFR7740PbF

Семейство StrongIRFET 75-вольтовых мощных MOSFET с ультра низким сопротивлением открытого канала

Документы:

На английском языке: Datasheet International Rectifier IRFR7740PbF

    IRFR7740PbF на РадиоЛоцман.Цены — от 54,65 до 126,00 руб.
    Тип корпуса: TO-252 Производитель: Infineon Technologies AG MOSFET транзистор
    Цены на IRFR7740PbF
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ICdaromInfineonIRFR7740PBFот 54,65 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonIRFR7740PBFот 63,50 руб.
    ЭлитанInfineonIRFR7740PBF84,40 руб.
    ДессиInternational RectifierMOSFET транзистор IRFR7740PBF125,47 руб.
    КимInternational RectifierIRFR7740PBF126,00 руб.
    Все 13 предложений от 7 поставщиков »

Выписка из документа:
StrongIRFETTM IRFR7740PbF IRFU7740PbF
Application Brushed motor drive applications BLDC motor drive applications Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies OR-ing and redundant power switches DC/DC and AC/DC converters DC/AC inverters HEXFET® Power MOSFET D VDSS RDS(on) typ. 75V 6.0m 7.2m 87A G S max ID D Benefits Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche SOA Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability Lead-free, RoHS compliant G Gate Standard Pack Form Quantity Tube 75 Tape and Reel 2000 Tube 75 S G D-Pak IRFR7740PbF G S D I-Pak IRFU7740PbF D Drain S Source Base part number IRFR7740PbF IRFU7740PbF Package Type D-Pak I-Pak Orderable Part Number IRFR7740PbF IRFR7740TRPbF IRFU7740PbF RDS(on), Drain-to -Source On Resistance (m ) 20 ID = 52A 15 100 80
ID, Drain Current (A)
20 60 10 T J = 125°C 40 5 T J = 25°C 0 0 5 10 15 20 0 25 50 75 100 125 150 175
VGS, Gate -to -Source Voltage (V) T C , Case Temperature (°C) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage 1 www.irf.com © 2014 International Rectifier Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature Submit Datasheet Feedback November 5, 2014 Absolute Maximum Rating Parameter Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation Linear Derating Factor VGS Gate-to-Source Voltage TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) Avalanc...

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс