Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +

Vishay IRF530STRR

Серия:IRF530S, SiHF530S



    MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
    Цены на IRF530STRR
    Кремнийпо запросу
    ТаймЧипсVishayпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »

Классификация производителя:


Выписка из документа:
IRF530S, SiHF530S
Vishay Siliconix Power MOSFET
VDS (V) RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 26 5.5 11 Single
100 0.16 Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition Surface Mount Available in Tape and Reel Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 175 °C Operating Temperature Fast Switching Ease of Paralleling Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D2PAK (TO-263) DESCRIPTION G G D S S N-Channel MOSFET Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2PAK (TO-263) is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.
D2PAK (TO-263) SiHF530STRL-GE3a IRF530STRLPbFa SiHF530STL-E3a D2PAK (TO-263) SiHF530STRR-GE3a IRF530STRRPbFa SiHF530STR-...

На английском языке: Datasheet Vishay IRF530STRR

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс