Datasheet Texas Instruments CSD19534Q5AT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19534Q5A |
| Модель | CSD19534Q5AT |
100 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET 8-VSONP
Datasheets
CSD19534Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 368 Кб, Файл опубликован: 9 май 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19534Q5AT на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 235 ₽30 предложений от 13 поставщиков TEXAS INSTRUMENTS CSD19534Q5ATMOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 2.8 V | |||
| CSD19534Q5AT Texas Instruments | 41 ₽ | ||
| CSD19534Q5AT Texas Instruments | от 80 ₽ | ||
| CSD19534Q5AT Texas Instruments | от 83 ₽ | ||
| CSD19534Q5AT Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQJ |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19534 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 44 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 137 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 17 nC |
| QGD Typ | 3.2 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 15.1 mOhms |
| VDS | 100 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19534Q5A (2)
- CSD19534Q5A CSD19534Q5AT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
