Datasheet Texas Instruments CSD19501KCS — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19501KCS |
| Модель | CSD19501KCS |
80 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, CSD19501KCS 3-TO-220 от -55 до 175
Datasheets
CSD19501KCS 80-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 751 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 21 июл 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19501KCS на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 685 ₽19 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 217Вт; TO220-3 | |||
| CSD19501KCS Texas Instruments | 27 ₽ | ||
| CSD19501KCS Texas Instruments | 28 ₽ | ||
| CSD19501KCS Texas Instruments | от 89 ₽ | ||
| CSD19501KCS Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KCS |
| Industry STD Term | TO-220 |
| JEDEC Code | R-PSFM-T |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | TUBE |
| Маркировка | CSD19501KCS |
| Width (мм) | 8.7 |
| Length (мм) | 10.16 |
| Thickness (мм) | 4.58 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.7 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 129 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 305 A |
| Корпус | TO-220 мм |
| QG Typ | 38 nC |
| QGD Typ | 5.8 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 6.6 mOhms |
| VDS | 80 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.6 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
