Datasheet Texas Instruments CSD18512Q5B — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD18512Q5B |
40V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD18512Q5B 40 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 653 Кб, Файл опубликован: 12 дек 2016
Выписка из документа
Цены
Купить CSD18512Q5B на РадиоЛоцман.Цены — от 75 до 220 ₽ 16 предложений от 9 поставщиков N-Channel 40 V 211A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6) | |||
CSD18512Q5B Texas Instruments | от 75 ₽ | ||
CSD18512Q5B Texas Instruments | 148 ₽ | ||
CSD18512Q5B Texas Instruments | 215 ₽ | ||
CSD18512Q5B Texas Instruments | 220 ₽ |
Статус
CSD18512Q5B | CSD18512Q5BT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD18512Q5B | CSD18512Q5BT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 8 | 8 |
Package Type | DNK | DNK |
Package QTY | 2500 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD18512 | CSD18512 |
Width (мм) | 6 | 6 |
Length (мм) | 5 | 5 |
Thickness (мм) | .95 | .95 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD18512Q5B | CSD18512Q5BT |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 211 | 211 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
QG Typ, nC | 75 | 75 |
QGD Typ, nC | 13.3 | 13.3 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 1.8 | 1.8 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 1.6 | 1.6 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 2.3 | 2.3 |
VDS, В | 40 | 40 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 1.6 | 1.6 |
Экологический статус
CSD18512Q5B | CSD18512Q5BT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18512Q5B (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor