Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet Texas Instruments CSD18536KTT — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияCSD18536KTT
Datasheet Texas Instruments CSD18536KTT

60 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET

Datasheets

CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 413 Кб, Файл опубликован: 10 мар 2016
Выписка из документа

Цены

21 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK
T-electron
Россия и страны СНГ
CSD18536KTT
Texas Instruments
208 ₽
ЧипСити
Россия
CSD18536KTT
Texas Instruments
232 ₽
ChipWorker
Весь мир
CSD18536KTT
Texas Instruments
249 ₽
Acme Chip
Весь мир
CSD18536KTT
Texas Instruments
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

CSD18536KTTCSD18536KTTT
Статус продуктаВ производствеВ производстве
Доступность образцов у производителяДаНет

Корпус / Упаковка / Маркировка

CSD18536KTTCSD18536KTTT
N12
Pin33
Package TypeKTTKTT
Industry STD TermTO-263TO-263
JEDEC CodeR-PSFM-GR-PSFM-G
Package QTY50050
CarrierLARGE T&RSMALL T&R
МаркировкаCSD18536KTTCSD18536KTT
Width (мм)8.418.41
Length (мм)10.1810.18
Thickness (мм)4.444.44
Pitch (мм)2.542.54
Max Height (мм)4.834.83
Mechanical DataСкачатьСкачать

Параметры

Parameters / ModelsCSD18536KTT
CSD18536KTT
CSD18536KTTT
CSD18536KTTT
ConfigurationSingleSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A349349
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A400400
Корпус, ммD2PAKD2PAK
QG Typ, nC108108
QGD Typ, nC1414
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm1.71.7
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms1.61.6
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms2.22.2
VDS, В6060
VGS, В2020
VGSTH Typ, В1.81.8

Экологический статус

CSD18536KTTCSD18536KTTT
RoHSСовместимСовместим
Бессвинцовая технология (Pb Free)ДаДа

Модельный ряд

Серия: CSD18536KTT (2)

Классификация производителя

  • Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor

На английском языке: Datasheet Texas Instruments CSD18536KTT

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России