Datasheet International Rectifier IRF1010N — Даташит

Производитель	International Rectifier
Серия	IRF1010N
Модель	IRF1010N

МОП-транзистор HEXFET

Datasheets

Просмотр и загрузка

PDF, 222 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 23 ноя 2022, Страниц: 8
HEXFET Power MOSFET

Выписка из документа

Цены

Купить IRF1010N на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 6 660 ₽ 21 предложений от 17 поставщиков МОП-транзистор 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
AliExpress Весь мир	IRF100S201 IRF1010NS IRF1010ZS IRF1018ES IRF1104S IRF1310NS IRF1302S IRF135S203 IRF1404S IRF1404ZS IRF1405S IRF1405ZS	32 ₽
PL-1 Россия	IRF1010N	от 60 ₽
LifeElectronics Россия	IRF1010N-011	по запросу
Acme Chip Весь мир	IRF1010NS Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Усовершенствованные силовые полевые МОП-транзисторы HEXFET компании International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния.

Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые МОП-транзисторы HEXFET, дает разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.

Корпус TO-220 повсеместно предпочтительнее для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое термическое сопротивление и низкая стоимость упаковки TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.

Классификация производителя

Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single