Datasheet IRF7406PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7406PBF
Купить IRF7406PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 67 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Single P-Channel 30 V 0.045 Ohm 59 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | |||
IRF7406PBF Infineon | 13 ₽ | ||
IRF7406PBF Infineon | от 19 ₽ | ||
IRF7406PBF International Rectifier | 20 ₽ | ||
IRF7406PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, P, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 95302
IRF7406PbF
Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l P-Channel Mosfet l Surface Mount l Available in Tape & Reel l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching l Lead-Free Description
l
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -1 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -5.8 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Configuration: b
- Pin Format: 1 с
- Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
- Pulse Current Idm: 20 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: F7406
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01