Datasheet IRF7509TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NP — Даташит

Купить IRF7509TRPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 7.62 до 107 ₽ 44 предложений от 19 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 2.7 А, 0.11 Ом, µSOIC, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	IRF7509TRPBF,N/Pкан 30В 2.7/-2А Micro8 Infineon	7.62 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IRF7509TRPBF International Rectifier	9.17 ₽	Купить
ЭИК Россия	IRF7509TRPBF Infineon	от 58 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	IRF7509TRPBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, NP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95397
HEXFET® Power MOSFET
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance l Dual N and P Channel MOSFET l Very Small SOIC Package l Low Profile (<1.1mm) l Available in Tape & Reel l Fast Switching l Lead-Free Description
l l
S1 G1 S2 G2

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 110 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
• Корпус транзистора: µSOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Cont Current Id N Channel: 2.7 А
• Cont Current Id P Channel: 2 А
• Current Id Max: 2.7 А
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 900 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 170 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 140 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 300 МОм
• Тип корпуса: Micro8
• Pulse Current Idm N Channel: 21 А
• Pulse Current Idm P Channel: 16 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
• Voltage Vgs Rds P Channel: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть