Datasheet IRG4PH50KDPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 1200 В, 45 А, TO-247AC — Даташит

Купить IRG4PH50KDPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 87 до 1 046 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков IRG4PH50KDPBF Series 1200 V 24 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
ЧипСити Россия	IRG4PH50KDPBF-INF Infineon	87 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRG4PH50KDPBF-INF Infineon	92 ₽	Купить
AliExpress Весь мир	G4PH50KD IRG4PH50KD IRG4PH50KDPBF 45A 1200V TO-247 IGBT MOS полевая трубка с эффектом	129 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	IRG4PH50KDPBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: IGBT, 1200 В, 45 А, TO-247AC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95189
IRG4PH50KDPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
· High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V · Combines low conduction losses with high switching speed · Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations · IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes · Lead-Free
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 45 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.77 В
• Power Dissipation Max: 200 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
• Корпус транзистора: TO-247AC
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 45 А
• Current Temperature: 25°C
• Device Marking: IRG4PH50KDPBF
• Fall Time Max: 300 нс
• Fall Time tf: 300 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Package / Case: TO-247AC
• Power Dissipation: 200 Вт
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• Pulsed Current Icm: 90 А
• Rise Time: 100 нс
• Short Circuit Withstand Time Min: 10Вµs
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5