Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet IXDR35N60BD1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXDR35N60BD1

Наименование модели: IXDR35N60BD1

9 предложений от 9 поставщиков
Trans IGBT Chip N-CH 600V 38A 125000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
T-electron
Россия и страны СНГ
IXDR35N60BD1
IXYS
542 ₽
ЧипСити
Россия
IXDR35N60BD1
IXYS
606 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXDR35N60BD1
IXYS
641 ₽
AliExpress
Весь мир
5 шт./партия IXER35N120D1 IXER35N120 или IXER20N120D1 или IXDR30N120D1 или IXDR35N60BD1 ISOPLUS247 35A 1200 в IGBT новый оригинальный
648 ₽
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGBT with optional Diode
High Speed, Low Saturation Voltage
IXDR 35N60 BD1 VCES = 600 V = 38 A IC25 VCE(sat) typ = 2.2 V
C G
ISOPLUS 247TM

Спецификации:

  • Тип транзистора: NPT
  • Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-247
  • Корпус: ISOPLUS-247
  • Fall Time Tf: 70 нс
  • Junction to Case Thermal Resistance A: 1°C/ Вт
  • Max Current Ic Continuous a: 38 А
  • Pin Configuration: Copack (FRD)
  • Power Dissipation: 125 Вт
  • Rise Time: 70 нс
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: NPN
  • Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXDR35N60BD1 - IXYS IGBT, ISOPLUS247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России