Datasheet BUK9Y19-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В 46 А SOT669 — Даташит
Наименование модели: BUK9Y19-55B
Купить BUK9Y19-55B на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 105 ₽ 37 предложений от 21 поставщиков Транзистор полевой N-канальный 55В 46A | |||
BUK9Y19-55B.115 Nexperia | 37 ₽ | ||
BUK9Y19-55B,115 Nexperia | от 51 ₽ | ||
BUK9Y19-55B NXP | 76 ₽ | ||
BUK9Y19-55B/C2,115 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В 46 А SOT669
Краткое содержание документа:
BUK9Y19-55B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
03 -- 29 February 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 46 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On Resistance Rds(on): 17.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 85 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 46 А
- Тип корпуса: SOT-669
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 55 В
- Voltage Vgs Max: 15 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK9Y1955B, BUK9Y19 55B