Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet BUK9Y19-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В 46 А SOT669 — Даташит

NXP BUK9Y19-55B

Наименование модели: BUK9Y19-55B

37 предложений от 21 поставщиков
Транзистор полевой N-канальный 55В 46A
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK9Y19-55B.115
Nexperia
37 ₽
Akcel
Весь мир
BUK9Y19-55B,115
Nexperia
от 51 ₽
Элитан
Россия
BUK9Y19-55B
NXP
76 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
BUK9Y19-55B/C2,115
Nexperia
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В 46 А SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y19-55B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

03 -- 29 February 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 46 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 17.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 85 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 46 А
  • Тип корпуса: SOT-669
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 55 В
  • Voltage Vgs Max: 15 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y1955B, BUK9Y19 55B

На английском языке: Datasheet BUK9Y19-55B - NXP MOSFET, N CH 55 V 46 A SOT669

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России