Datasheet SKM111AR - Semikron Даташит Полевой транзистор, N, SEMITRANS — Даташит
Наименование модели: SKM111AR
Купить SKM111AR на РадиоЛоцман.Цены — от 4 202 до 15 708 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, CASE D15, SEMITRANS-4 | |||
| SKM111AR Semikron | 4 202 ₽ | ||
| SKM111AR Semikron | 8 211 ₽ | ||
| SKM111AR Semikron | по запросу | ||
| SKM111AR Semikron | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Semikron
Описание: Полевой транзистор, N, SEMITRANS
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
SKM 111AR MOSFET,TRANSISTOR
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units
Inverse diode
SEMITRANSTM M1 Power MOSFET Modules
SKM 111AR Characteristics Symbol Conditions
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 200 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SEMITRANS
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 200 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 42 мм
- Внешняя длина / высота: 30 мм
- Внешняя ширина: 80 мм
- Fixing Centres: 65 мм
- Fixing Hole Diameter: 6.4 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: D 15
- Power Dissipation Pd: 700 Вт
- Pulse Current Idm: 600 А
- SMD Marking: .
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2.1 В
RoHS: есть
