Datasheet STP12NM50 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP12NM50
Купить STP12NM50 на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 540 ₽ 45 предложений от 25 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 500Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 12Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 350Емкость, пФ:... | |||
STP12NM50FP STMicroelectronics | 41 ₽ | ||
STP12NM50FD STMicroelectronics | от 43 ₽ | ||
STP12NM50FP STMicroelectronics | 228 ₽ | ||
STP12NM50FP STMicroelectronics | от 301 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
STP12NM50 - STP12NM50FP STB12NM50 - STB12NM50-1
N-channel 550V @ tjmax - 0.30 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB12NM50 STB12NM50-1 STP12NM50 STP12NM50FP
VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 550 В
- On State Resistance: 350 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 400mJ
- Capacitance Ciss Typ: 1000 пФ
- Current Iar: 6 А
- Current Id Max: 12 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 160 Вт
- Pulse Current Idm: 48 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds: 550 В
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 5 В
- Voltage Vgs th Min: 3 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS