Datasheet Texas Instruments CSD18511KTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18511KTT |
| Модель | CSD18511KTT |
40-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
Datasheets
CSD18511KTT 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 951 Кб, Файл опубликован: 24 июл 2017
Выписка из документа
Цены
,TO-263AB.jpg) Купить CSD18511KTT на РадиоЛоцман.Цены — от 87 до 5 268 ₽19 предложений от 8 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 110А; Idm: 400А; 188Вт; D2PAK | |||
| CSD18511KTT Texas Instruments | 87 ₽ | ||
| CSD18511KTT Texas Instruments | 89 ₽ | ||
| CSD18511KTT Texas Instruments | от 147 ₽ | ||
| CSD18511KTT Texas Instruments | от 185 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | Анонсирован (Компонент анонсирован, но еще не запущен в серийное производство. Образцы могут быть как доступны, так и нет) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G |
| Package QTY | 500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD18511KTT |
| Width (мм) | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 194 A |
| ID, package limited | 110 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | D2PAK мм |
| QG Typ | 64 nC |
| QGD Typ | 9.7 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 3.2 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 2.6 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 4.2 mOhms |
| VDS | 40 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18511KTT (2)
- CSD18511KTT CSD18511KTTT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
