Datasheet Infineon IGLD60R190D1 — Даташит
Производитель | Infineon |
Серия | IGLD60R190D1 |
Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor IGLD60R190D1 for ultimate efficiency and reliability
Datasheets
Datasheet IGLD60R190D1
PDF, 1.1 Мб, Язык: анг., Версия: 02_00, Файл закачен: 31 окт 2019, Страниц: 17
600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor
600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor
Выписка из документа
Цены
Купить IGLD60R190D1 на РадиоЛоцман.Цены — от 461 до 3 053 ₽ 15 предложений от 7 поставщиков Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount | |||
IGLD60R190D1AUMA3 Infineon | от 461 ₽ | ||
IGLD60R190D1AUMA3 Infineon | 607 ₽ | ||
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon | 1 043 ₽ | ||
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon | от 1 599 ₽ |
Статус
IGLD60R190D1AUMA1 | |
---|---|
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Модельный ряд
Серия: IGLD60R190D1 (1)
Классификация производителя
- Power > Wide Bandgap Semiconductors (SiC/GaN) > Gallium Nitride (GaN)