Datasheet Toshiba SSM3H137TU — Даташит
| Производитель | Toshiba |
| Серия | SSM3H137TU |
| Модель | SSM3H137TU |
Малые полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии
Datasheets
Datasheet SSM3H137TU
PDF, 231 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: мар 2016, Страниц: 9
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Выписка из документа
Цены
 Купить SSM3H137TU на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 1 578 ₽9 предложений от 5 поставщиков MOSFET N-CH 34V 2A UFM | |||
| SSM3H137TU,LF Toshiba | от 26 ₽ | ||
| SSM3H137TU,LF Toshiba | 32 ₽ | ||
| SSM3H137TU,LF Toshiba | 32 ₽ | ||
| SSM3H137TU.LF | 1 578 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Количество выводов | 3 |
| Код корпуса | SOT-323F |
| Код корпуса производителя | UFM |
| Способ монтажа | Surface Mount |
| Ширина×Длина×Высота | 2.0×2.1×0.7 мм |
Параметры
| AEC-Q101 | Qualified(*) |
| Application Scope | Relay Drivers |
| Assembly bases | Thailand |
| Drain current | 2.0 A |
| Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=10V] | 240 mΩ |
| Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=4.5V] | 280 mΩ |
| Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=4V] | 295 mΩ |
| Drain-Source voltage | 34 В |
| Основные особенности | Relay Drivers |
| Gate threshold voltage (Max) | 1.7 В |
| Gate-Source voltage | +/-20 В |
| Generation | U-MOSⅣ |
| Input capacitance (Typ.) | 119 пФ |
| Internal Connection | Single |
| Polarity | N-ch + Active Clamp Zener |
| Рассеиваемая мощность | 0.8 W |
| Total gate charge (Typ.) [VGS=10V] | 3.0 nC |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Классификация производителя
- Semiconductor > MOSFETs
