Datasheet IRG4BC10SD-SPBF - International Rectifier Даташит IGBT, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: IRG4BC10SD-SPBF
Купить IRG4BC10SD-SPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 95 до 454 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube | |||
IRG4BC10SD-SPBF Infineon | 95 ₽ | ||
IRG4BC10SD-SPBF, IGBT 600В 8А 1кГц D2Pak Infineon | 164 ₽ | ||
IRG4BC10SD-SPBF International Rectifier | по запросу | ||
IRG4BC10SD-SPBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, D2-PAK
Краткое содержание документа:
PD - 95780
IRG4BC10SD-SPbF IRG4BC10SD-LPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· Extremely low voltage drop 1.1Vtyp.
@ 2A · S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. · Very Tight Vce(on) distribution · IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations · Industry standard D2Pak & TO-262 packages · Lead-Free
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- Max Voltage Vce Sat: 1.8 В
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- Корпус: D2-PAK
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Max Current Ic Continuous a: 14 А
- Max Fall Time: 1080 нс
- Количество транзисторов: 1
- Power Dissipation: 38 Вт
- Power Dissipation Pd: 38 Вт
- Pulsed Current Icm: 18 А
- Rise Time: 36 нс
- Termination Type: SMD
- Полярность транзистора: N
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Fischer Elektronik - WLPG 02
Варианты написания:
IRG4BC10SDSPBF, IRG4BC10SD SPBF