Datasheet NGD15N41CLT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, N CH, 15 А, 410 В, DPAK — Даташит
Наименование модели: NGD15N41CLT4G
Купить NGD15N41CLT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 7 260 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A 107000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R | |||
NGD15N41CLT4G Littelfuse | от 35 ₽ | ||
NGD15N41CLT4G Littelfuse | от 36 ₽ | ||
NGD15N41CLT4G ON Semiconductor | 115 ₽ | ||
NGD15N41CLT4G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: IGBT, N CH, 15 А, 410 В, DPAK
Краткое содержание документа:
NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL
Preferred Device
Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.
Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 15 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 410 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 410 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Рассеиваемая мощность максимальная: 107 Вт
RoHS: есть