Datasheet STGB10NC60HDT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 10 А DВІPAK — Даташит
Наименование модели: STGB10NC60HDT4
Купить STGB10NC60HDT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 316 ₽ 39 предложений от 19 поставщиков IGBTvery fast 600В/10А/65Вт/Uкэ нас.=1.7В/Uзи=± 20В/trise=27нс/tfall=85нс/Qз=19.2нК + Диод | |||
STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics | 18 ₽ | ||
100% оригинальный новый STGB10NC60HDT4 TO263 GB10NC60HD N-канальный 600 в 10 А бтиз трубка 5,0 | 41 ₽ | ||
STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics | 59 ₽ | ||
STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics | 222 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: IGBT, N 600 В 10 А DВІPAK
Краткое содержание документа:
STGB10NC60HD - STGD10NC60HD STGF10NC60HD - STGP10NC60HD
600 V - 10 A - very fast IGBT
Features
Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
3 1
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 20 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
- Рассеиваемая мощность: 65 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Ic Continuous a Max: 10 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Рассеиваемая мощность максимальная: 65 Вт
- Pulsed Current Icm: 40 А
- Rise Time: 5 нс
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть