Datasheet STGB3NB60SDT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, SMD, 600 В, 3 А, D2-PAK — Даташит

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, SMD, 600 В, 3 А, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STGB3NB60SD
N-CHANNEL 3A - 600V D2PAK Power MESHTM IGBT
TYPE STGB3NB60SD
s
VCES 600 V

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 6 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
• Power Dissipation Max: 70 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -60°C to +175°C
• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 6 А
• Fall Time tf: 720 нс
• Package / Case: D2-PAK
• Power Dissipation: 70 Вт
• Pulsed Current Icm: 25 А
• Rise Time: 150 нс
• Termination Type: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5
• Fischer Elektronik - WLPG 02