Datasheet GT50J102 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(LH) — Даташит

Toshiba GT50J102

Наименование модели: GT50J102

Купить GT50J102 на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, 2-21F2C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
Кремний Россия и страны СНГ	GT50J102	по запросу
МосЧип Россия	GT50J102(Q) Toshiba	по запросу
Akcel Весь мир	GT50J102 Toshiba	по запросу
Acme Chip Весь мир	GT50J102 Toshiba	по запросу

Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(LH)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT50J102
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
GT50J102
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
l The 3rd.

Generation. l Enhancement-Mode. l High Speed. l Low Saturation Voltage. : tf = 0.30µs (Max.) : VCE(sat) = 2.7V (Max.) Unit: mm

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 50 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
Power Dissipation Max: 200 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Корпус транзистора: TO-3P (LH)
Current Ic Continuous a Max: 50 А
Fall Time Typ: 150 нс
Package / Case: TO-3P (LH)
Power Dissipation: 200 Вт
Power Dissipation Pd: 200 Вт
Pulsed Current Icm: 100 А
Rise Time: 120 нс
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: N Channel
Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - TF 3 2
Fischer Elektronik - WLK 5