Datasheet IHW30N90T - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247 — Даташит

Infineon IHW30N90T

Наименование модели: IHW30N90T

Купить IHW30N90T на РадиоЛоцман.Цены — от 210 до 553 ₽ 12 предложений от 9 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 900V 30A
Контест Россия	IHW30N90T	210 ₽
Utmel Весь мир	IHW30N90T Infineon	от 357 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IHW30N90T - Infineon Technologies Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IHW30N90T	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Soft Switching Series
IHW30N90T q
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with anti-parallel diode
Features: · 1.1V Forward voltage of antiparallel diode · TrenchStop® and Fieldstop technology for 900 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat) · Low EMI · Qualified according to JEDEC1 for target applications · Application specific optimisation of inverse diode · Pb-free lead plating; RoHS compliant Applications: · Microwave Oven · Soft Switching Applications for ZCS Type IHW30N90T VCE 900V IC 30A VCE(sat),Tj=25°C 1.5V Tj,max 175°C Marking H30T90 Package PG-TO-247-3
C

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 30 А
Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
Power Dissipation Max: 428 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900 В
Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
Корпус транзистора: TO-247
Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - THFU 2