Datasheet IKB10N60T - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,10A,TO263 — Даташит
Наименование модели: IKB10N60T
Купить IKB10N60T на РадиоЛоцман.Цены — от 189 до 201 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков INFINEON IKB10N60T IGBT Single Transistor, 10A, 2.05V, 110W, 600V, TO-263, 3Pins | |||
| IKB10N60T Infineon | 189 ₽ | ||
| IKB10N60T Infineon | 199 ₽ | ||
| IKB10N60T Infineon | по запросу | ||
| IKB10N60T Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ DIODE,600V,10A,TO263
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IKB10N60T p
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon 3 diode
C
· · · · · · · · · · ·
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 10 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
- Power Dissipation Max: 110 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fairchild - FSAM10SH60A
