Datasheet IKB15N60T - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,15A,TO263 — Даташит

Купить IKB15N60T на РадиоЛоцман.Цены — от 227 до 340 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin
ЧипСити Россия	IKB15N60T Infineon	227 ₽	Купить
Элитан Россия	IKB15N60T Infineon	228 ₽	Купить
Контест Россия	IKB15N60T Infineon	340 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IKB15N60T Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,15A,TO263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IKB15N60T q
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon 3 diode
· · · · · Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 °C Short circuit withstand time ­ 5µs Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners ® TrenchStop technology for 600 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - very high switching speed Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMI Low Gate Charge 1 Qualified according to JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ VCE 600V IC 15A VCE(sat),Tj=25°C 1.5V Tj,max 175°C Marking Code K15T60 Package PG-TO263-3-2
C

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 15 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
• Power Dissipation Max: 130 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fuji Electric - 6MBP15RH-060-50