Datasheet IKB20N60T - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,20A,TO263 — Даташит

Infineon IKB20N60T

Наименование модели: IKB20N60T

Купить IKB20N60T на РадиоЛоцман.Цены — от 151 до 308 ₽ 12 предложений от 9 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin
Utmel Весь мир	IKB20N60T Infineon	от 151 ₽
ЧипСити Россия	IKB20N60T Infineon	289 ₽
Элитан Россия	IKB20N60T Infineon	307 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IKB20N60T	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,20A,TO263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IKB20N60T p
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon 3 diode
· · · · · Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 °C Short circuit withstand time 5µs Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners ® TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - very high switching speed Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMI Low Gate Charge 1 Qualified according to JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ VCE 600V IC 20A VCE(sat),Tj=25°C 1.5V Tj,max 175°C Marking K20T60 Package PG-TO263-3-2
C

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 20 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
Power Dissipation Max: 166 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3

RoHS: есть